
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 230 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO268 |
| Технология | BiMOSFET™ |
Транзистор IGBT IXYS IXBT24N170 — биполярный транзистор с изолированным затвором, технология BiMOSFET™, корпус TO268. Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7 кВ, ток коллектора — 24 А. В наборе 2 шт.
Максимальная мощность рассеяния — 250 Вт. Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Заряд затвора — 0,14 мкКл. Относится к высоковольтным полупроводниковым элементам.
Конструкция и монтажКорпус — TO268, тип монтажа — поверхностный.