
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | MDmesh™ / / Plus |
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET STMicroelectronics STF13N60M2 в корпусе TO220FP. Транзистор с напряжением сток-исток 600 В и током стока 7 А.
Транзистор изготовлен по технологии MDmesh™ II Plus. Номинальное напряжение сток-исток составляет 600 В. Максимальный ток стока — 7 А, а рассеиваемая мощность — 25 Вт.
Удобный монтаж и защитаКомпонент имеет корпус TO220FP с выводами для установки на плату (THT). Компонент имеет версию ESD. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,38 Ом.
КомплектацияУпаковка содержит 20 единиц транзисторов STF13N60M2. Транзистор является униполярным (unipolarny) с каналом обогащения (wzbogacany). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±25 В.