
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 45 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 25 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор IGBT STGF20H65DFB2 от STMicroelectronics в корпусе TO220FP. Комплект состоит из 20 единиц с максимально допустимым напряжением 650 В и током коллектора 25 А.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В. Максимально допустимый ток коллектора равен 25 А. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 45 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO220FP, с штыревым типом монтажа. Заряд затвора составляет 56 нКл. Максимальное напряжение затвор-эмиттер (напряжение затвор-эмиттер) равно ±20 В.
КомплектацияВ наборе поставляется 20 транзисторов.