
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 130 Вт |
| Максимально допустимый ток стока | 3.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ K5 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8N120K5 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии MDmesh™ K5.
Максимальное напряжение стока составляет 1200 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток стока равен 3,5 А, а импульсный ток — 12 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 2000 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 130 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор имеет тип монтажа «Выводной» и выполнен в корпусе TO220-3. Версия устройства обозначена как ESD. Поляризация транзистора — униполярная.