Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z, 500 В, 6,3 А, TO220-3 (набор 10 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z, 500 В, 6,3 А, TO220-3 (набор 10 шт.)
Brand: STMicroelectronics
SKU: TM020907
Price: 3460 UAH
Availability: InStock

Код: TM020907

В наличии

3 460 ₴

+5%

бонусов с картой Rozetka

Продавец Iskra

100%

Доставка

Подписка на доставку Smart
Бесплатно — в отделения Новой почты
Узнать больше
Нова Пошта

Оплата и гарантии

Безопасная оплата картой
Без переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частями
Без переплат*, от 577 ₴/мес.
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Самовывоз

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z, 500 В, 6,3 А, TO220-3 (набор 10 шт.) - фото 1 - id-p3243285688

Характеристики и описание

Основные

Производитель	STMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания	125 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток	30 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток	500 В
Максимально допустимый ток стока	6.3 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)	520 mOm
Тип монтажа	Вставной
Тип транзистора	Полевой

Дополнительные характеристики

Состояние	Новое

Пользовательские характеристики

Версия	ESD
Гарантийный срок	12 міс
Количество в комплекте	10 шт.
Корпус	TO220-3
Технология	SuperMesh™

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z — полевой транзистор с обогащенным каналом, рассчитанный на напряжение сток-исток 500 В и ток стока 6,3 А. Изделие изготовлено по технологии SuperMesh™ в корпусе TO220-3 и имеет защиту от электростатического разряда (ESD).

Тип транзистора: полевой N-MOSFET
Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
Максимально допустимый ток стока: 6,3 А
Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт
Корпус: TO220-3, выводной монтаж
Технология: SuperMesh™, версия ESD
Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 500 В, а напряжение затвор-исток — 30 В. Максимальный ток стока равен 6,3 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 520 мОм.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 125 Вт. Устройство выполнено в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Тип канала: обогащенный (wzbogacany), полярность — униполярная.

Комплектация

Товар поставляется набором, содержащим 10 транзисторов.

Похожие товары по характеристикам