
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 230 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | MDmesh™ M6 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF22N60M6 — это полевой транзистор с технологией MDmesh™ M6 в корпусе TO220FP. Предназначен для работы с напряжением до 600 В и током стока 9,5 А.
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и максимально допустимый ток стока 9,5 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 230 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 30 Вт, а напряжение затвор-исток ограничено 25 В.
Конструкция и монтажИзделие выполнено в корпусе TO220FP с вставным типом монтажа. Это однополярный транзистор с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный). Используется технология MDmesh™ M6.
КомплектацияВ комплекте поставляется 10 шт. транзисторов. Символ производителя — STF22N60M6. Максимальный импульсный ток стока (Idm) составляет 42 А, а заряд затвора — 20 нКл.