
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ / / Plus |
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET STMicroelectronics STP24N60M2. Компоненты изготовлены по технологии MDmesh™ II Plus в корпусе TO220-3.
Транзисторы рассчитаны на напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 12 А.
Эффективная технология MDmesh™ II PlusСопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 0,19 Ом.
Удобный монтаж и защитаКомпоненты имеют выводы для навесного монтажа (THT) и версию ESD. Корпус TO220-3.
КомплектацияВ упаковке находится 10 транзисторов STP24N60M2. Транзисторы имеют встроенную защиту от электростатического разряда (ESD) и выводы для навесного монтажа (THT).