
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 230 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 160 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Тип транзистора: IGBT (указан в названии производителя). Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В. В комплекте 10 единиц.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В. Максимальная мощность рассеивания равна 230 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Напряжение на затворе ограничено значением ±30 В.
КомплектацияВ наборе 10 транзисторов STGWA40H65DFB2.