Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW20NM60FD, 600 В, 12,6 А, TO247 (5 шт.)
Код: TM114389
В наличии
3 370 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 562 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 214 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технология | FDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW20NM60FD — это полевой транзистор с каналом типа «обогащение» и технологией FDmesh™.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 12,6 А
- Максимальная мощность рассеивания: 214 Вт
- Корпус: TO247, монтаж в отверстия
- Комплектация: 5 шт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, а максимально допустимый ток стока — 12,6 А. Максимальная мощность рассеивания равна 214 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 260 мОм.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO247 с выводным типом монтажа. Полярность транзистора — униполярная. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 30 В.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
