Транзистор N-MOSFET x2 IXYS MMIX2F60N50P3, 500 В, 30 А, 320 Вт, SMPD
Код: TM204808
В наличии
3 710 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 618 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 320 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Время готовности | 250 нс |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Корпус | SMPD |
Транзистор IXYS MMIX2F60N50P3 типа N-MOSFET x2 (два транзистора), технологии HiPerFET™ и Polar3™, униполярный. Напряжение сток-исток — 500 В, ток стока — 30 А. Корпус SMPD, монтаж SMD.
- Тип: N-MOSFET x2
- Напряжение сток-исток: 500 В
- Ток стока: 30 А
- Импульсный ток стока: 150 А
- Мощность рассеивания: 320 Вт
- Корпус: SMPD
Импульсный ток стока — 150 А. Мощность рассеивания — 320 Вт. Сопротивление в открытом состоянии — 0,12 Ом. Напряжение затвор-исток — ±30 В. Заряд затвора — 96 нКл.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
