Транзистор IGBT STARPOWER GD35PJY120L3S, 1200 В, 35 А
Код: TM035676
В наличии
5 180 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 863 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Максимально допустимый ток коллектора | 70 А |
|---|---|
| Тип монтажа | Вставной |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | L3.0 |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
IGBT-модуль STARPOWER GD35PJY120L3S — это полупроводниковый компонент со структурой диод/транзистор. Модуль имеет максимальное напряжение 1200 В и номинальный ток коллектора 35 А.
- Максимальное напряжение 1200 В
- Номинальный ток коллектора 35 А
- Импульсный ток коллектора 70 А
- Технология Advanced Trench FS IGBT
- Корпус L3.0
- Монтаж Press-in PCB
Модуль работает с максимальным обратным напряжением 1,2 кВ и номинальным током коллектора 35 А. Импульсный ток коллектора составляет 70 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В.
Технология и топологияИспользуется технология Advanced Trench FS IGBT. Топология модуля включает boost chopper, диодный трехфазный мост, IGBT трехфазный мост с выходом OE и термистор NTC.
Механическое и электрическое подключениеМодуль имеет корпус L3.0 и механическое крепление типа «прикручиваемое». Электрическое подключение осуществляется через прессованное соединение с печатной платой (Press-in PCB).
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
