Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW065SIC015, 650 В, 100 А, TO247-3
Код: TM152584
В наличии
3 170 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 528 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diotec Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 550 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIW065SIC015 — это полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-3. Устройство характеризуется максимально допустимым напряжением сток-исток 650 В и током стока 100 А.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Технология: SiC (карбид кремния)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
- Максимально допустимый ток стока: 100 А (300 А в импульсе)
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 16 мОм
- Корпус: TO247-3, монтаж выводной
Транзистор выдерживает максимально допустимое напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 100 А. Тип монтажа — выводной. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 300 А.
Карбид кремния (SiC)Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 16 мОм.
Мощность рассеивания и заряд затвораМаксимальная мощность рассеивания составляет 550 Вт. Заряд затвора (Qg) равен 236 нКл, а максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено 15 В.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
