Транзистор IGBT DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW050F065, 650 В, 50 А, TO247-3 (набор 10 шт.)
Код: TM112042
В наличии
3 500 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 583 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diotec Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 350 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 50 А |
| Тип монтажа | Вставной |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW050F065 — полупроводниковый прибор с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 650 В и током коллектора 50 А. Выпускается в корпусе TO247-3, предназначен для монтажа в штыревом исполнении.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 50 А
- Максимальная мощность рассеивания: 350 Вт
- Корпус: TO247-3
- Количество в комплекте: 10 шт.
Транзистор имеет максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимально допустимый ток коллектора 50 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 350 Вт. Тип транзистора: IGBT.
Конструкция и монтажПрибор выполнен в корпусе TO247-3. Тип монтажа — штыревой. Согласно характеристикам, транзистор имеет интегрированный антипараллельный диод.
Дополнительные характеристики согласно данным производителя (S*) и источников (D*)В комплект поставки входит 10 шт. транзисторов. Согласно данным производителя (S*), заряд затвора составляет 78 нКл, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
