Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4, 900 В, 3 А, DPAK (набор 20 шт.)
Код: TM020800
В наличии
3 510 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 585 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 12 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 900 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4800 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4 — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе DPAK. Комплект состоит из 20 единиц.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Напряжение сток-исток: 900 В
- Ток стока: 3 А
- Мощность рассеивания: 12 Вт
- Корпус: DPAK
- Количество в комплекте: 20 шт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 900 В, а напряжение затвор-исток — 30 В. Максимально допустимый ток стока равен 3 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 4800 мОм.
Мощность и конструкцияМаксимальная мощность рассеивания — 12 Вт. Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Корпус: DPAK.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
