Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP8NC60KD, 600 В, 8 А, TO220AB (20 шт.)

Name: Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP8NC60KD, 600 В, 8 А, TO220AB (20 шт.)
Brand: STMicroelectronics
SKU: TM020831
Price: 3150 UAH
Availability: InStock

Код: TM020831

В наличии

3 150 ₴

+5%

бонусов с картой Rozetka

Продавец Iskra

100%

Доставка

Подписка на доставку Smart
Бесплатно — в отделения Новой почты
Узнать больше
Нова Пошта

Оплата и гарантии

Безопасная оплата картой
Без переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частями
Без переплат*, от 525 ₴/мес.
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Самовывоз

Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP8NC60KD, 600 В, 8 А, TO220AB (20 шт.) - фото 1 - id-p3243324156

Характеристики и описание

Основные

Производитель	STMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания	65 Вт
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер	600 В
Максимально допустимый ток коллектора	8 А
Тип монтажа	Вставной

Дополнительные характеристики

Состояние	Новое

Пользовательские характеристики

Гарантийный срок	12 міс
Количество в комплекте	20 шт.
Корпус	TO220AB

Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP8NC60KD в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 20 единиц. Основные параметры: напряжение коллектор-эмиттер 600 В, ток коллектора 8 А, мощность рассеивания 65 Вт.

Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
Ток коллектора: 8 А
Мощность рассеивания: 65 Вт
Корпус: TO220AB
Заряд затвора: 19 нКл
Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и ток коллектора 8 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 65 Вт. Заряд затвора равен 19 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.

Конструкция и монтаж

Изделие выполнено в корпусе TO220AB с выводным типом монтажа. Интегрированная антипараллельная диодная структура является частью компонента. Тип транзистора — полевой (IGBT).

Комплектация

В наборе 20 транзисторов STGP8NC60KD.