
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 525 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.77 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах с напряжением до 525 В. Комплект содержит 20 транзисторов.
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 525 В и ток стока 2,77 А.
Эффективный отвод теплаМощность рассеивания составляет 70 Вт. Корпус DPAK обеспечивает монтаж на поверхность (SMD).
Защита от статического электричестваВерсия ESD. Версия ESD и технология SuperMesh™.
Полярность и тип каналаТранзистор является униполярным (unipolarny) с каналом обогащения (wzbogacany). Это определяет принцип его работы в схемах управления.
Напряжение на затвореДопустимое напряжение между затвором и истоком составляет ±30 В.
Сопротивление в открытом состоянииСопротивление в состоянии проводности равно 1,5 Ом.