Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18535KCS, 60В, 200А, TO220-3 (10 шт.)
Код: TM202518
В наличии
3 690 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 615 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Texas Instruments |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 200 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.6 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | NexFET™ |
| Толщина радиатора | 1.14–1.4 мм |
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18535KCS — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220-3.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
- Максимально допустимый ток стока: 200 А
- Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1.6 мОм
- Корпус: TO220-3
- Количество в комплекте: 10 шт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 200 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 1.6 мОм.
Мощность и конструкцияМаксимальная мощность рассеивания — 300 Вт. Транзистор изготовлен по технологии NexFET™. Толщина радиатора корпуса TO220-3 составляет 1.14–1.4 мм.
Монтаж и корпусированиеТип монтажа — выводной (THT). Корпус TO220-3 имеет толщину радиатора 1.14–1.4 мм.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
