
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 13 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 230 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD18N60M6 — это униполярный компонент в корпусе DPAK с напряжением сток-исток 600 В и током стока 13 А.
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В. Номинальный ток стока составляет 13 А, а импульсный ток может достигать 38 А.
Эффективное рассеивание теплаМощность рассеивания 110 Вт позволяет компоненту рассеивать до 110 Вт при надлежащем охлаждении.
Удобный монтаж SMDКорпус DPAK и тип монтажа SMD.
Низкое сопротивление в открытом состоянииСопротивление в состоянии проводимости составляет 0,23 Ом.
КомплектацияВ комплекте поставляется 20 транзисторов STD18N60M6.