
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 100 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 21 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 38 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10T4 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе DPAK. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 21 А.
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 100 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 38 мОм.
Конструкция и монтажИспользуется поверхностный тип монтажа. Корпус: DPAK. Технология SuperMesh™ и версия ESD указаны в спецификации производителя.
Канал и полярностьТранзистор имеет канал обогащения и является униполярным прибором. В набор поставляется 20 шт. транзисторов.