Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4, 100 В, 25 А, D2PAK (20 шт.)
Код: TM020784
В наличии
3 890 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 648 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 45 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4 — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе D2PAK. Комплект состоит из 20 штук. Основные параметры: напряжение сток-исток 100 В, ток стока 25 А, мощность рассеивания 115 Вт.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 25 А
- Максимальная мощность рассеивания: 115 Вт
- Корпус: D2PAK, поверхностный монтаж
- Количество в комплекте: 20 шт.
Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 25 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 45 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 115 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен для поверхностного монтажа в корпусе D2PAK. Используется технология SuperMesh™.
Комплектация и версияВ наборе 20 шт. транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
