
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ M2 |
Транзистор STMicroelectronics STP13N60M2 — это полевой N-MOSFET на технологии MDmesh™ M2 в корпусе TO220-3. Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 7 А. В комплект входит 20 штук.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, что определяет рабочий диапазон нагрузки. Ток стока ограничен значением 7 А, а импульсный ток может достигать 44 А. Максимальная мощность рассеивания равна 110 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 380 мОм, что влияет на тепловые потери при работе.
Конструкция и монтажТранзистор изготовлен по технологии MDmesh™ M2. Корпус TO220-3 предназначен для вывода на печатную плату (вставной монтаж). Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 25 В.
КомплектацияВ набор входит 20 транзисторов STP13N60M2.