Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW40V60DF, 600 В, 80 А, TO247-3 (набор 10 шт.)
Код: TM020838
В наличии
3 970 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 662 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 283 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW40V60DF — полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3 с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 160 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 283 Вт. В комплект поставки входит 10 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 160 А
- Максимальная мощность рассеивания: 283 Вт
- Корпус: TO247-3
- Количество в комплекте: 10 шт.
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 600 В и выдерживает ток коллектора 160 А. Максимальная мощность рассеивания равна 283 Вт. Заряд затвора составляет 226 нКл, а напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В.
Конструкция и монтажПрибор имеет тип монтажа «вставной» (THT) и выполнен в корпусе TO247-3. Интегрированный антипараллельный диод является частью конструкции транзистора.
КомплектацияВ наборе 10 транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
