Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR SiC 1,2kV 45A (B3M040120H), 10 шт.
Код: TM151182
В наличии
2 460 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 410 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 312 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 18 В |
| Максимально допустимый ток стока | 45 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET от бренда BASiC SEMICONDUCTOR, модель B3M040120H. Это полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) с максимальным током стока 45 А и мощностью рассеивания 312 Вт. Комплект состоит из 10 штук в корпусе TO247-3.
- Максимально допустимый ток стока: 45 А
- Максимальная мощность рассеивания: 312 Вт
- Технология: SiC (карбид кремния)
- Корпус: TO247-3
- Тип монтажа: THT
- Количество в комплекте: 10 шт.
Прибор имеет максимально допустимый ток стока 45 А и максимальную мощность рассеивания 312 Вт. Эти параметры определяют рабочие режимы компонента.
Технология SiC и напряжениеИспользование технологии SiC (карбид кремния) отличает этот компонент от стандартных кремниевых аналогов. Указанное напряжение в спецификации: 1,2kV.
Корпус и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO247-3. Монтаж выполняется по технологии THT (выводной монтаж), что предполагает установку в отверстия печатной платы.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
