
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 134 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT от бренда ONSEMI, модель AFGHL40T65SPD, предназначен для работы с напряжением до 650 В и током коллектора 40 А. Комплект состоит из 5 штук в корпусе TO247-3 с монтажом THT.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 40 А. В импульсном режиме устройство выдерживает пиковый ток до 120 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 134 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.
Управление и монтажУправление осуществляется через затвор с допустимым напряжением затвор-эмиттер ±20 В. Общий заряд затвора равен 36 нКл. Компонент имеет корпус TO247-3 и предназначен для выводного монтажа (THT).