Транзистор ONSEMI BC817-16LT1G NPN, SOT23, 45В, 0,5А (комплект 200 шт.)
Код: TM071713
В наличии
2 270 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 378 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 45 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
Дополнительные характеристики
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
|---|
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 200 шт. |
|---|---|
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Транзистор ONSEMI BC817-16LT1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры NPN в корпусе SOT23. Комплект состоит из 200 единиц.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Ток коллектора: 0,5 А
- Рассеиваемая мощность: 0,225 Вт
- Количество в комплекте: 200 шт.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В и ток коллектора 0,5 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,225 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 100...250.
Монтаж и корпусКомпонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD). Частота перехода составляет 100 МГц.
КомплектацияВ упаковке содержится 200 транзисторов BC817-16LT1G.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
