Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK80Z, 800В, 2,7А, TO220-3 (набор 10 шт.)
Код: TM037173
В наличии
2 830 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 472 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2400 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | PowerMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK80Z — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO220-3. Комплект состоит из 10 штук.
- Набор из 10 транзисторов N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток 800 В
- Ток стока 2,7 А
- Рассеиваемая мощность 110 Вт
- Корпус TO220-3 с навесным монтажом (THT)
- Встроенная защита от ESD
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 2,7 А. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а сопротивление в открытом состоянии — 2,4 Ом.
Мощность и монтажМаксимальная рассеиваемая мощность составляет 110 Вт. Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с навесным монтажом (THT).
Технология и защитаТранзистор имеет версию ESD и изготовлен по технологии PowerMesh™. Канал транзистора — обогащенный.
КомплектацияВ комплекте 10 транзисторов STP5NK80Z.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
