
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | BiMOSFET™, FRED |
Транзистор IGBT производства IXYS, модель IXBH16N170. Это полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3 с технологией BiMOSFET™, рассчитанный на максимальное напряжение 1,7 кВ и ток 16 А. В комплекте поставляется 2 штуки.
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ и максимально допустимый ток коллектора 120 А (номинальный ток в названии: 16 А). Максимальная мощность рассеивания составляет 250 Вт. Заряд затвора равен 72 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтажПрибор выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Используется технология BiMOSFET™ и FRED.
КомплектацияВ наборе находятся 2 транзистора IXBH16N170.