
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 85 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 680 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ M2 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11N65M2 — это полупроводниковый прибор с каналом типа N и технологией MDmesh™ M2. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 650 В. Постоянный ток стока составляет 4,4 А, а импульсный ток может достигать 28 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,68 Ом.
Конструктивные особенностиПрибор изготовлен по технологии MDmesh™ M2. Заряд затвора составляет 12,5 нКл. Максимальная рассеиваемая мощность — 85 Вт. Напряжение между затвором и истоком ограничено ±25 В.
Монтаж и комплектацияКорпус TO220-3 предназначен для выводного монтажа (THT). В комплекте поставляется 10 транзисторов. Транзистор является униполярным.