
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 45 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Версия | ESD |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB16NF06LT4 — это полевой транзистор с каналом типа «обогащение» в корпусе D2PAK. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 11 А.
Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 45 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 16 В, а напряжение сток-исток — 60 В. Максимально допустимый ток стока — 11 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 90 мОм.
Конструкция и монтажТранзистор изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Корпус D2PAK предназначен для поверхностного монтажа. Полярность устройства — униполярная.
Канал и полярностьВ наборе содержится 10 транзисторов.