
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 1.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 20 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Граничная частота передачи | 60 МГц |
|---|
| Количество в комплекте | 40 шт. |
|---|---|
| Корпус | SOT223-4, TO261-4 |
Транзистор PNP ONSEMI BCP69T1G — это биполярный компонент в корпусе SOT223-4 (TO261-4) для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 40 единиц.
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 20 В и ток коллектора 1 А. Мощность рассеивания составляет 1,5 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 85...375.
Монтаж и корпусКомпонент выполнен в корпусе SOT223-4, также известном как TO261-4. Это стандартный корпус для технологии поверхностного монтажа (SMD). Частота перехода fT составляет 60 МГц, что характеризует быстродействие транзистора.