
| Импульсный ток стока | 200А |
|---|---|
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение сток-исток | 1,7 кВ |
| Полупроводниковая структура | SiC диод/транзистор |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Рассеянная мощность | 270 Вт |
| Случай | SOT227 |
| Сопротивление в активном состоянии | 45 мОм |
| Стандартная упаковка производителя | 10 шт. |
| Технологии | SiC |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Тип упаковки | трубка |
| Электромонтаж | закрученный |
| ток стока | 40А |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Полупроводниковая структура | SiC диод/транзистор |
| Напряжение сток-исток | 1,7 кВ |
| ток стока | 40А |
| Случай | SOT227 |
| Электромонтаж | закрученный |
| Сопротивление в активном состоянии | 45 мОм |
| Импульсный ток стока | 200А |
| Рассеянная мощность | 270 Вт |
| Технологии | SiC |
| Механическая сборка | закрученный |
| Стандартная упаковка производителя | 10 шт. |
| Тип упаковки | трубка |