
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время ожидания | 250 нс |
|---|---|
| Импульсный ток стока | 330А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-исток | ±40 В |
| Напряжение сток-исток | 500 В |
| Платеж через шлюз | 250 нКл |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 1,5 кВт |
| Случай | SOT227B |
| Сопротивление в активном состоянии | 39 мОм |
| Технологии | HiPerFET™, Polar™ |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Электромонтаж | закрученный |
| ток стока | 112А |
| Производитель | IXYS |
| Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Напряжение сток-исток | 500 В |
| ток стока | 112А |
| Случай | SOT227B |
| Электромонтаж | закрученный |
| Поляризация | униполярный |
| Сопротивление в активном состоянии | 39 мОм |
| Рассеянная мощность | 1,5 кВт |
| Напряжение затвор-исток | ±40 В |
| Механическая сборка | закрученный |
| Время ожидания | 250 нс |
| Импульсный ток стока | 330А |
| Платеж через шлюз | 250 нКл |
| Технологии | HiPerFET™, Polar™ |
| Тип канала | обогащенный |