
| Коллекторный ток | 400А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 1,7 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Случай | ПОЛУТРАНС4 |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 800А |
| Электромонтаж | закрученный |
| Производитель | СЕМИКРОН ДАНФОСС |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,7 кВ |
| Коллекторный ток | 400А |
| Случай | ПОЛУТРАНС4 |
| Электромонтаж | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Ток коллектора импульса | 800А |
| Механическая сборка | закрученный |
| Приложение | для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем |