Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор TYN1225 RG (TO-220)

Код: TYN1225
Готово к отправке
10+ купили
от 22 ₴
Карточка Rozetka
+5%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 250 ₴
Продавец ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК
95%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA783052990000026004050287247
Транзистор TYN1225 RG (TO-220) - фото 1 - id-p2620331007

Характеристики и описание

Основные

Производитель
STMicroelectronics
Страна производительКитай

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Виробник STMicroelectronics

Країна виробник Китай

 

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК
ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК
95% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

SFH309FA Фототранзистор, длина волны макс: 900нм, 35В, 12°, длина волны: 730-1120нм
SFH309FA Фототранзистор, длина волны макс: 900нм, 35В, 12°, длина волны: 730-1120нм
38.80 ₴
FJPF13007H2TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 40 Вт, TO-220F, Through Hole
FJPF13007H2TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 40 Вт, TO-220F, Through Hole
77.50 ₴
FTU45N06N Транзистор: N-MOSFET: 60В: 21А: 33 мОм: 31Вт
FTU45N06N Транзистор: N-MOSFET: 60В: 21А: 33 мОм: 31Вт
33.80 ₴
YJD45G10B 100V 45A 14mΩ@10V,20A 72W 2.8V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs
YJD45G10B 100V 45A 14mΩ@10V,20A 72W 2.8V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs
55 ₴
CRTT032N06N 60V 160A 2.6mOm TO-220 MOSFETs
CRTT032N06N 60V 160A 2.6mOm TO-220 MOSFETs
80 ₴
SFH309-5 Фототранзистор, длина волны макс:860 нм, 35В, 12°, Линза: прозрачная, диаметр:3 мм
SFH309-5 Фототранзистор, длина волны макс:860 нм, 35В, 12°, Линза: прозрачная, диаметр:3 мм
50 ₴
ZVN2120GTA Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 320 мА, 10 Ом, SOT-223, Surface Mount
ZVN2120GTA Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 320 мА, 10 Ом, SOT-223, Surface Mount
81.30 ₴
NCE20TD60BF IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25℃, 16 nS, 48 pF, 97 nC.
NCE20TD60BF IGBT + Diode, N, 34.5 W, 600 V, 1.7 V @25℃, 16 nS, 48 pF, 97 nC.
100 ₴
2SC2909
2SC2909
66.30 ₴
STD5N52U МОП-транзистор N-channel 525 V 4.4 A DPAK
STD5N52U МОП-транзистор N-channel 525 V 4.4 A DPAK
86.30 ₴
MMBFU310LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В
MMBFU310LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В
37.50 ₴
J113 Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом (JFET), -35 В, 2 мА, -3 В
J113 Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом (JFET), -35 В, 2 мА, -3 В
30 ₴
STD10P6F6 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -7,2А, 35Вт
STD10P6F6 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -7,2А, 35Вт
91.30 ₴
2SB1050
2SB1050
51.30 ₴