От 200 МГц модули помех РЭБ GaN / LDMOS транзистор c циркулятором 50 Вт

Модули помех РЭБ от 200 МГЦ.

Цена зависит от выбора частоты и наличие циркулятора.

Усилительный модуль помех от 200 МГц до 5800 МГц с циркулятором GaN / LDMOS транзистор

              Цифровые / dsgital /  модули помех 50 Вт 
200-300 MHz GaN digital
300-400 MHz GaN digital
390-520 MHz GaN digital
400-500 MHz GaN digital
500-650 MHz GaN/LDMOS digital
600-700 MHz GaN/LDMOS digital
700-850 MHz GaN/LDMOS digital
800-950 MHz GaN digital
900-1000 MHz GaN digital
900-1100 MHz GaN/LDMOS
950-1060 MHz GaN
1000-1100 MHz GaN digital
1560-1620 MHz GaN
1680-1880  MHz Gan             
2400-2500 Mhz LDMOS/Gan digital
3150-3350 MHz GaN
3200-3500 MHz GaN
3500-3700 MHz GaN
3700-3900 MHz GaN
4800-5000 MHz GaN
5.2 Mhz  GaN/LDMOS digital
5.8 MHz GaN/LDMOS digitalХарактеристики

Защита IP65

 Минимальный 200 МГц

 Максимальный 6400 МГц

Регулировка Да

Сфера применения - создание помех, подавление канала управления дронов FPV.

Тип транзистора: GAN

Мощность - 50 Вт

Защита : з циркулятором 

Сопротивление : - 50 Ом

Диапазон рабочих температур, Сº: - -10 ... +75

Тип ВЧ-разьема: - SMA Female конектор

Маса: - 220 г

Питание:  24-28 B