Prom – найбільший маркетплейс України

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 16GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-16)

Код: 721712-01-ЛА
В наличии
от 1293 /мес
12 926 
19 886 скидка еще 6 дней
Оплатить частями

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Изображение для Оплатить частями
    Без переплат*, от 1293 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA133052990000026002040132876
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 16GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-16) - фото 1 - id-p2334812974
  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 16GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-16) - фото 1 - id-p2334812974
  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 16GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-16) - фото 2 - id-p2334812974
  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 16GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-16) - фото 3 - id-p2334812974
  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 16GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-16) - фото 4 - id-p2334812974
  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 16GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-16) - фото 5 - id-p2334812974
  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 16GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-16) - фото 6 - id-p2334812974
  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 16GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-16) - фото 7 - id-p2334812974

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Wonder
СостояниеНовое
Частота памяти5600 МГц
Тип оперативной памятиDDR5
НазначениеДля ноутбука

Пользовательские характеристики

(Сборка) Высота модуля памятистандарт
(Сборка) Потребляемая мощность5 Вт
АртикулKF556S40IB-16
Гарантия, мес60
Количество модулей в наборе1
МoдельSoDIMM DDR5 16GB 5600 MHz Impact
Напряжение питания1.1 В
Объем памяти16 ГБ
ОхлаждениеНет
Примечаниегарантирующей только их безопасную транспортировку.
Стандарты памятиPC5-44800
Страна производстваТайвань
ТаймингиCL40
Тип памятиDDR5
Форм-фактор памяти262-pin SO-DIMM

С превосходной скоростью; функцией Plug N Play; удвоенным с 16 до 32 количеством банков и удвоенной с 8 до 16 длиной пакета Kingston FURY Impact DDR5 идеально подходит для геймеров и энтузиастов; которым нужна более высокая производительность на платформах следующего поколения.

Увеличивая скорость; емкость и надежность; Kingston FURY Impact DDR5 предлагает целый арсенал расширенных функций; таких как ECC на кристалле (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях; два 32-битных подканала для повышения эффективности и интегрированная в модуль схема управления питанием (PMIC); обеспечивающая контроль и подстройку напряжений непосредственно на модуле памяти. При игре в самых экстремальных условиях; при стриминге в формате 4K и выше или при серьезной анимации и 3D-рендеринге; Kingston FURY Impact DDR5 — это следующее повышение уровня; при котором идеально сочетаются стиль и производительность.

Кроме того; Kingston FURY Impact DDR5 получила сертификат Intel XMP 3.0 и Certified; что означает; что пользователи могут рассчитывать на простой; стабильный и сертифицированный разгон.

Особенности:

  • Более высокая производительность: Память DDR5 на 50% быстрее; чем DDR4; что добавляет производительности в играх; рендере и многозадачных средах.
  • Поддержка технологии автоматического разгона Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 поддерживает автоматический разгон до максимальной частоты; указанной в спецификациях.
  • Сертификация Intel XMP 3.0: Повышение производительности памяти с предварительно оптимизированными таймингами; скоростью и напряжением питания для разгона.
  • Ниже энергопотребление; выше эффективность: Снижение тепловыделения и повышение эффективности системы благодаря низкому напряжению питания памяти Impact DDR5 1.1 В.
  • Повышенная стабильность при разгоне: Коррекция ошибок на кристалле (On-die ECC; ODECC) помогает обеспечить целостность данных при разгоне памяти для повышения ее производительности.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
Ларчик UA - магазин трендовых товаров
Ларчик UA - магазин трендовых товаров
92% положительных отзывов

Похожее у других продавцов