Транзистор IRF820

Транзистор IRF820 N-канальный MOSFET (полевой транзистор)

Характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 24(max) nC
• Время нарастания (tr): 8.6 ns
• Выходная емкость (Cd): 92 pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
• Тип корпуса: ТО220