Транзистор IRF820
Код: 00154
Готово к отправке
10+ купили
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA853052990000026003005202331
Характеристики и описание
Основные
| Тип транзистора | Полевой |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 50 Вт |
| Производитель | PD |
Дополнительные характеристики
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
|---|
Транзистор IRF820 N-канальный MOSFET (полевой транзистор)
Характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
- Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 24(max) nC
- Время нарастания (tr): 8.6 ns
- Выходная емкость (Cd): 92 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
- Тип корпуса: ТО220
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
![IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4](https://images.prom.ua/7728378377_w200_h200_irg4ibc30udpbf-igbt-tranzistor.jpg)
