|
BUZ100S
Тип транзистора: MOSFET
Тип канала управления: N-канал
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 Вт
Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 55 В
Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В
Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В
Максимальный ток стока | Id |: 77 А
Максимальная температура соединения (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 65 нКл
Время роста (tr): 30 нс
Выходная емкость (Cd): 615 пФ
Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,015 Корпус: TO-220AB
|