
| Производитель | PD |
|---|
|
Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 55 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 77 А Максимальная температура соединения (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 65 нКл Время роста (tr): 30 нс Выходная емкость (Cd): 615 пФ Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,015 Ом Корпус: TO-220AB |