К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

Транзисторы 2Т635А

Код: 928

Недоступен

от 70 ₴

Транзисторы 2Т635А - фото 1 - id-p1555851899

Характеристики и описание

Производитель	MPS
Тип монтажа	Ручной монтаж
Тип биполярного транзистора	N-P-N

2Т635А
Транзисторы 2Т635А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, быстродействующие, переключательные.
Предназначены для применения в импульсных и высокочастотных устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 3,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.051ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.051ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2SC502.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т635А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25...150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 58 пс

Технические характеристики транзисторов 2Т635А, КТ635Б:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭ0 max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	Вт		В	мкА	мкА	мкА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
2Т635А	n-p-n	1	1,2	60	60	5	0,5	25…150	<0,5	<10	<10	<10	>250	<10	<90	150	-60…+125
КТ635Б	n-p-n	1	1,2	60	60	5	0,5	20…150	<0,9	<30	<30	<30	>200	<10	<90	120	-45…+85