Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор 30f131 в Украине

Транзистор IGBT GT30F131 to-263 (ТІ0020)
Транзистор IGBT GT30F131 to-263 (ТІ0020)
Готово к отправке
60 ₴

30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей 386-0832 м.алмаз 3860832 almaz
30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей 386-0832 м.алмаз 3860832 almaz
Готово к отправке
15.60 ₴
19.50 ₴

30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
Готово к отправке
41 ₴

30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
В наличии
99 ₴

IGBT-транзистор GT30F131 оригинал , D2PAK (TO-263)
IGBT-транзистор GT30F131 оригинал , D2PAK (TO-263)
Готово к отправке
235 ₴

IGBT-транзистор GT30F131 ( 30F131 ) оригинал демонтаж, D2PAK (TO-263)
IGBT-транзистор GT30F131 ( 30F131 ) оригинал демонтаж, D2PAK (TO-263)
Готово к отправке
5.0 
188 ₴

Транзистор GT30F131 (TO-220F)
Транзистор GT30F131 (TO-220F)
Готово к отправке
5.0 
70 ₴

Транзистор 30F131 IGBT 360V 200A
Транзистор 30F131 IGBT 360V 200A
В наличии
19.10 ₴

Транзистор 30F131 IGBT 360V 200A
Транзистор 30F131 IGBT 360V 200A
Готово к отправке
19.10 ₴

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2 Транзистор IGBT
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2 Транзистор IGBT
В наличии
99 ₴
108 ₴

Транзистор 30F131
Транзистор 30F131
Готово к отправке
16 ₴

30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
Готово к отправке
22 ₴

Транзистор 30F131 GT30F131
Транзистор 30F131 GT30F131
Готово к отправке
1.0 
14 ₴

Транзистор 30F131 IGBT 360V 200A
Транзистор 30F131 IGBT 360V 200A
В наличии
19.10 ₴

Транзистор 30F131 для плазменных панелей
Транзистор 30F131 для плазменных панелей
Готово к отправке
17 ₴

30F131 ТО-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (ІGВТ) для плазменных панелей щоденна 4133978 покупка шоп.
30F131 ТО-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (ІGВТ) для плазменных панелей щоденна 4133978 покупка шоп.
Готово к отправке
15.60 ₴
19.50 ₴

Чип транзистор IGBT 30F131 GT30F131 TO-263-2 (286206)
Чип транзистор IGBT 30F131 GT30F131 TO-263-2 (286206)
В наличии
110 ₴
120 ₴

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Готово к отправке
12 ₴

Транзистор IGBT 30F131 TO-263-2, 300 В 200 А для плазменных панелей и инверторов
Транзистор IGBT 30F131 TO-263-2, 300 В 200 А для плазменных панелей и инверторов
В наличии
21.76 ₴
27.20 ₴

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT, максимальное напряжение 300 В, ток 200 А
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT, максимальное напряжение 300 В, ток 200 А
Готово к отправке
12 ₴

30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей, для мощных электронных систем
30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей, для мощных электронных систем
Готово к отправке
77.50 ₴
96.88 ₴

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT PTR
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT PTR
Готово к отправке
54.60 ₴
65.52 ₴

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Готово к отправке
28.90 ₴
34 ₴

IGBT транзистор 30F131 GT30F131 TO-263-2 D2PAK 300 В 200 А UCEsat 1,9 В мощность 140 Вт для плазменных панелей
IGBT транзистор 30F131 GT30F131 TO-263-2 D2PAK 300 В 200 А UCEsat 1,9 В мощность 140 Вт для плазменных панелей
Готово к отправке
35 ₴

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT MDR
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT MDR
Готово к отправке
54.60 ₴
72.07 ₴

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT florentia
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT florentia
Готово к отправке
40 ₴
50 ₴

Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусе TO263-2 для плазменных панелей 300 В 200 А напряжение насыщения 1,9 В мощность 140 Вт
Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусе TO263-2 для плазменных панелей 300 В 200 А напряжение насыщения 1,9 В мощность 140 Вт
Готово к отправке
38 ₴

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
В наличии
12 ₴
16 ₴

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2 транзистор IGBT
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2 транзистор IGBT
Готово к отправке
35 ₴

Показано 1 - 29 товаров из 50+