Транзистор IGBT 30F131 TO-263-2, 300 В 200 А для плазменных панелей и инверторов

Ключевые преимущества и особенности:

• Высокая пропускная способность по току: Номинальный максимальный ток коллектор-эмиттер составляет 200 А, что обеспечивает стабильное управление нагрузкой в электронных цепях высокой интенсивности.
• Эффективное управление питанием: При мощности рассеивания до 140 Вт и напряжении насыщения 1,9 В при номинальном токе транзистор работает без перегрева или нестабильности в требовательных приложениях.
• Надёжная конструкция корпуса: Корпус TO-263-2 обеспечивает удобное крепление на печатных платах и позволяет эффективно отводить тепло с помощью радиаторов или теплоотводов.

Характеристики:

• Модель: 30F131
• Корпус: TO-263-2
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
• Максимальный ток коллектора: 200 А
• Напряжение насыщения при номинальном токе: 1,9 В
• Мощность: 140 Вт
• Тип: IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)
• Состояние: Новое

Внимание: некоторые товары могут требовать 100% предоплаты на счёт продавца до отправки заказа. Пожалуйста, уточните это у менеджера перед оформлением заказа.