Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT MDR
Код: 286206-03-mdr
Готово к отправке
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта (Бесплатно при условии)
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA763220010000026005370012814
Характеристики и описание
| Ключевые слова | Чип 30F131,GT30F131,TO263-2,Транзистор IGBT |
|---|
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
- Мощность: 140 Вт
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
