Prom – найбільший маркетплейс України

TO-263 корпус для транзистора в Украине

Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусе TO263-2 для плазменных панелей 300 В 200 А напряжение насыщения 1,9 В мощность 140 Вт
Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусе TO263-2 для плазменных панелей 300 В 200 А напряжение насыщения 1,9 В мощность 140 Вт
Готово к отправке
38 ₴

Транзистор STB80NF03L-04T4 marking 80NF03L-04 ST корпус TO-263
Транзистор STB80NF03L-04T4 marking 80NF03L-04 ST корпус TO-263
Готово к отправке
420 ₴

Транзистор 2SB1644 marking B1644 NEC корпус TO-263
Транзистор 2SB1644 marking B1644 NEC корпус TO-263
Готово к отправке
230 ₴

Транзистор BTS430K1 Infineon корпус TO-263-5
Транзистор BTS430K1 Infineon корпус TO-263-5
Готово к отправке
330 ₴

Транзистор 2SK3272 marking K3272 Fuji корпус TO-263
Транзистор 2SK3272 marking K3272 Fuji корпус TO-263
Готово к отправке
250 ₴

Транзистор 2SJ550 marking J550 Hitachi корпус TO-263
Транзистор 2SJ550 marking J550 Hitachi корпус TO-263
Готово к отправке
120 ₴

Транзистор BTS2140-1B Infineon корпус TO-263 D2PAK
Транзистор BTS2140-1B Infineon корпус TO-263 D2PAK
В наличии
150 ₴

Транзистор NCEP85T25d Оригинал!!! 250A/180A, 85V, MOSFET, корпус TO-263-2L
Транзистор NCEP85T25d Оригинал!!! 250A/180A, 85V, MOSFET, корпус TO-263-2L
Готово к отправке
79 ₴

Транзистор SRT10N047H Оригинал!!! 120A/85A, 100V, MOSFET корпус TO-263-2 заміна G10N054Dm
Транзистор SRT10N047H Оригинал!!! 120A/85A, 100V, MOSFET корпус TO-263-2 заміна G10N054Dm
Готово к отправке
46 ₴

Транзистор AUIRF3205ZS ( замена для IRF3205S , F3205S ) оригинал демонтаж, TO263
Транзистор AUIRF3205ZS ( замена для IRF3205S , F3205S ) оригинал демонтаж, TO263
Готово к отправке
70.50 ₴

30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей 386-0832 м.алмаз 3860832 almaz
30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей 386-0832 м.алмаз 3860832 almaz
Готово к отправке
15.60 ₴
19.50 ₴

NPN-транзистор 2N3904, корпус TO-92, 100 шт., 0,2 А/40 В, кремниевый эпитаксиальный планарный, для коммутационных и усилительных п
NPN-транзистор 2N3904, корпус TO-92, 100 шт., 0,2 А/40 В, кремниевый эпитаксиальный планарный, для коммутационных и усилительных п
Под заказ
1 295.49 ₴
1 393 ₴

Транзистор 5503DM корпус TO263 ключ катушки запалювання
Транзистор 5503DM корпус TO263 ключ катушки запалювання
Готово к отправке
5.0 
100 ₴

Транзистор BUK9675-100A NXP корпус TO-263
Транзистор BUK9675-100A NXP корпус TO-263
Готово к отправке
130 ₴

Транзистор ST70-27F Shindengen корпус TO263
Транзистор ST70-27F Shindengen корпус TO263
Готово к отправке
240 ₴

30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
В наличии
99 ₴

30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
Готово к отправке
41 ₴

Транзистор FTP08N06A Оригинал!!! 120A, 60V, MOSFET (Замена для FQP08N06, G4N024PM) корпус TO-220
Транзистор FTP08N06A Оригинал!!! 120A, 60V, MOSFET (Замена для FQP08N06, G4N024PM) корпус TO-220
Готово к отправке
125 ₴

Транзистор поле N-канальный 10 штук силовой элемент для схем TO-220AB корпус 10A 200V 130W TO-220AB
Транзистор поле N-канальный 10 штук силовой элемент для схем TO-220AB корпус 10A 200V 130W TO-220AB
Готово к отправке
180 ₴
360 ₴

IGBT транзистор 30F131 GT30F131 TO-263-2 D2PAK 300 В 200 А UCEsat 1,9 В мощность 140 Вт для плазменных панелей
IGBT транзистор 30F131 GT30F131 TO-263-2 D2PAK 300 В 200 А UCEsat 1,9 В мощность 140 Вт для плазменных панелей
Готово к отправке
35 ₴

30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
30F131 TO-263-2 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для плазменных панелей
Готово к отправке
21 ₴

Транзистор 2SJ412 marking J412 Toshiba корпус TO-263
Транзистор 2SJ412 marking J412 Toshiba корпус TO-263
Готово к отправке
200 ₴

Силиконовый изоляционный колпачок TO-3P теплопроводящий 28.5×17.4×5.9 мм для защиты корпусов транзисторов
Силиконовый изоляционный колпачок TO-3P теплопроводящий 28.5×17.4×5.9 мм для защиты корпусов транзисторов
Готово к отправке
6.50 ₴
8.12 ₴

NPN-транзистор BC547B, корпус TO-92, 0,1 А, 100 шт., для коммутации и усилителей.
NPN-транзистор BC547B, корпус TO-92, 0,1 А, 100 шт., для коммутации и усилителей.
Под заказ
1 293.63 ₴
1 391 ₴

Биполярный NPN транзистор 2N3055 15А 60В в корпусе TO-3 для усилителей звука
Биполярный NPN транзистор 2N3055 15А 60В в корпусе TO-3 для усилителей звука
Готово к отправке
53 ₴
71 ₴

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB019N06L3GATMA1, 60В, 120А, корпус PG-TO263-3 (10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB019N06L3GATMA1, 60В, 120А, корпус PG-TO263-3 (10 шт.)
В наличии
2 130 ₴

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1, 100 В, 100 А, корпус PG-TO263-3 (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB042N10N3GATMA1, 100 В, 100 А, корпус PG-TO263-3 (набор 10 шт.)
В наличии
2 900 ₴

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P32FG15SL-5071, 150 В, 32 А, корпус TO263AB (набор 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P32FG15SL-5071, 150 В, 32 А, корпус TO263AB (набор 20 шт.)
В наличии
1 970 ₴

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P80FG7R5EN-5071, 70 В, 80 А, корпус TO263AB (набор 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P80FG7R5EN-5071, 70 В, 80 А, корпус TO263AB (набор 20 шт.)
В наличии
2 040 ₴

Показано 1 - 29 товаров из 300+