Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусе TO263-2 для плазменных панелей 300 В 200 А напряжение насыщения 1,9 В мощность 140 Вт

IGBT транзистор 30F131 GT30F131 в корпусе TO263-2 разработан для применения в плазменных панелях и силовых узлах. Максимальное напряжение коллектор эмиттер 300 В и ток до 200 А подходят для высоких нагрузок. Низкое напряжение насыщения 1,9 В при номинальном токе и мощность 140 Вт снижают потери и нагрев. Корпус TO263-2 удобен для монтажа и теплоотвода. Практичное решение для ремонта и проектов — стабильность заметна уже на испытаниях.

Характеристики:

• Тип: транзистор IGBT
• Модель: 30F131 GT30F131
• Корпус: TO263-2
• Применение: плазменные панели
• Максимальное напряжение коллектор эмиттер: 300 В
• Максимальный ток коллектор эмиттер: 200 А
• Напряжение насыщения при номинальном токе: 1,9 В
• Мощность рассеяния: 140 Вт

Преимущества:

• Высокий ток 200 А для мощных нагрузок
• Низкая Vce(sat) 1,9 В для эффективности
• Компактный корпус TO263-2 для простого монтажа
• Подходит для ремонта плазменных панелей и силовых блоков