Prom – найбільший маркетплейс України

Память с SPI интерфейсом в Украине

Модуль карты памяти TF/MicroSD для Arduino, ESP32, STM32 (интерфейс SPI)
Модуль карты памяти TF/MicroSD для Arduino, ESP32, STM32 (интерфейс SPI)
Готово к отправке
5.0 
50 

W25Q128FVSIG FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 128 Мбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая
W25Q128FVSIG FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 128 Мбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая
В наличии
355 

M95640-WMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 64 кбит. Скорость: 10MHz. Uпит.: 2.5 V...5.5 V. Замена к
M95640-WMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 64 кбит. Скорость: 10MHz. Uпит.: 2.5 V...5.5 V. Замена к
В наличии
43.75 

M95010-WMN6P EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания:
M95010-WMN6P EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания:
В наличии
51.25 

M95160-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
M95160-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
В наличии
40 

M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
В наличии
41.25 

W25Q128FVSIG FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 128 Мбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая
W25Q128FVSIG FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 128 Мбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая
В наличии
355 

M95160-WDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
M95160-WDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
В наличии
47.50 

CAT25256VI-GT3 EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
CAT25256VI-GT3 EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
В наличии
58.75 

M95010-WMN6P EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания:
M95010-WMN6P EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания:
В наличии
51.25 

M95128-DFDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 128 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
M95128-DFDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 128 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
В наличии
182.50 

M95128-DFDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 128 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
M95128-DFDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 128 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
В наличии
182.50 

FM25V02A-GTR FRAM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2...3.6 В . Рабочая
FM25V02A-GTR FRAM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2...3.6 В . Рабочая
В наличии
303.75 

FM25V02A-GTR FRAM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2...3.6 В . Рабочая
FM25V02A-GTR FRAM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2...3.6 В . Рабочая
В наличии
303.75 

SST25VF080B-50-4I-S2AE FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 8 Мбит . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая температура:
SST25VF080B-50-4I-S2AE FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 8 Мбит . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая температура:
В наличии
397.50 

AT45DB161E-SSHF-B FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 16 Мбит , в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2.3...3.6 В .
AT45DB161E-SSHF-B FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 16 Мбит , в корпусе SOIC-8-3.9 . Напряжение питания: 2.3...3.6 В .
В наличии
412.50 

MX25L12835FZ2I-10G FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 128 Мбит, в корпусе WSON-8 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая
MX25L12835FZ2I-10G FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 128 Мбит, в корпусе WSON-8 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая
В наличии
248.75 

N25Q128A13ESE40F FLASH NOR память с SPI интерфейсом в корпусе SOIC-8-5.3. 2,7...3,6 В. 128MBIT 108MHZ
N25Q128A13ESE40F FLASH NOR память с SPI интерфейсом в корпусе SOIC-8-5.3. 2,7...3,6 В. 128MBIT 108MHZ
В наличии
512.50 

MX25L12835FZ2I-10G FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 128 Мбит, в корпусе WSON-8 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая
MX25L12835FZ2I-10G FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 128 Мбит, в корпусе WSON-8 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая
В наличии
248.75 

CAT25256VI-GT3 EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
CAT25256VI-GT3 EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
В наличии
58.75 

AT25256B-SSHL-T EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
AT25256B-SSHL-T EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 256 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
В наличии
88.75 

AT25040B-SSHL-B EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 4 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
AT25040B-SSHL-B EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 4 кбит, в корпусе SO-8 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
В наличии
193.75 

MX25L3233FM2I-08G FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 32 Мбит, в корпусе SOP-8 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая
MX25L3233FM2I-08G FLASH память с SPI интерфейсом, объёмом 32 Мбит, в корпусе SOP-8 . Напряжение питания: 2.7...3.6 В . Рабочая
В наличии
215 

25AA02E48T-I/OT EEPROM память с SPI интерфейсом , объёмом 2 кбит , в корпусе SOT-23-6 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
25AA02E48T-I/OT EEPROM память с SPI интерфейсом , объёмом 2 кбит , в корпусе SOT-23-6 . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая
В наличии
141.25 

Универсальный программатор Xgecu T48 (TL866 3G) с полным набором адаптеров (32 предмета) для микросхем памяти eMMC NAND SPI и MCU
Универсальный программатор Xgecu T48 (TL866 3G) с полным набором адаптеров (32 предмета) для микросхем памяти eMMC NAND SPI и MCU
Готово к отправке
от 656 /мес
6 555 
7 215 

N25Q128A13ESE40F FLASH NOR память с SPI интерфейсом в корпусе SOIC-8-5.3. 2,7...3,6 В. 128MBIT 108MHZ
N25Q128A13ESE40F FLASH NOR память с SPI интерфейсом в корпусе SOIC-8-5.3. 2,7...3,6 В. 128MBIT 108MHZ
В наличии
512.50 

M95160-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
M95160-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
В наличии
40 

FM модулятор с Bluetooth и USB интерфейсом для автомобиля с дисплеем и слотом для карты памяти microSD модель X16 BT
FM модулятор с Bluetooth и USB интерфейсом для автомобиля с дисплеем и слотом для карты памяти microSD модель X16 BT
Готово к отправке
от 76 /мес
382 
611 

M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
В наличии
41.25 

Показано 1 - 29 товаров из 100+