Prom – найбільший маркетплейс України

M95010-WMN6P EEPROM память с SPI интерфейсом

M95010-WMN6P EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания:
M95010-WMN6P EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания:
В наличии
47.50 

Микросхема памяти EEPROM M95010-WMN6P
Микросхема памяти EEPROM M95010-WMN6P
Готово к отправке
83 

M95040-WMN6TP Микросхема памяти: EEPROMs, объем памяти 4K (512 x 8). 20MHz, Интерфейс: SPI, 3-Wire Serial, 2.5 V ~ 5.5 V. -40°C ~
M95040-WMN6TP Микросхема памяти: EEPROMs, объем памяти 4K (512 x 8). 20MHz, Интерфейс: SPI, 3-Wire Serial, 2.5 V ~ 5.5 V. -40°C ~
В наличии
27.50 

M93S46-WMN6P Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 1 кбит: Организация:
M93S46-WMN6P Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 1 кбит: Организация:
В наличии
45 

M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
В наличии
42.50 

M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
M95010-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи.
В наличии
42.50 

M95640-WMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 64 кбит. Скорость: 10MHz. Uпит.: 2.5 V...5.5 V. Замена к
M95640-WMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 64 кбит. Скорость: 10MHz. Uпит.: 2.5 V...5.5 V. Замена к
В наличии
45 

M24C08-WMN6P Энергонезависимая память - SOIC-8-3.9: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 8 кбит: Организация: 1Кх8, 400 кГц.
M24C08-WMN6P Энергонезависимая память - SOIC-8-3.9: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 8 кбит: Организация: 1Кх8, 400 кГц.
В наличии
13.75 

M24C02-WMN6P Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, I2C: Объём: 2 кбит: Организация: 256x8:
M24C02-WMN6P Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, I2C: Объём: 2 кбит: Организация: 256x8:
В наличии
46.25 

M24C08-WMN6P Энергонезависимая память - SOIC-8-3.9: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 8 кбит: Организация: 1Кх8, 400 кГц.
M24C08-WMN6P Энергонезависимая память - SOIC-8-3.9: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 8 кбит: Организация: 1Кх8, 400 кГц.
В наличии
13.75 

M93S56-WMN6P Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 2 кбит: Организация:
M93S56-WMN6P Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 2 кбит: Организация:
В наличии
115 

M95160-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
M95160-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
В наличии
41.25 

M95160-WDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
M95160-WDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
В наличии
48.75 

M95128-DFDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 128 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
M95128-DFDW6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 128 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая
В наличии
188.75 

M95128-WMN6P EEPROM SMD/SMT 5.5V 128K (16Kx8), 5MHz, 5 mA, интерфейс подключения: SPI, 3-Wire Serial. Напряжение питания: 2.5V -
M95128-WMN6P EEPROM SMD/SMT 5.5V 128K (16Kx8), 5MHz, 5 mA, интерфейс подключения: SPI, 3-Wire Serial. Напряжение питания: 2.5V -
В наличии
137.50