Доставка
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Оплата по реквизитам
Безготівковий розрахунок
Характеристики и описание
Сверхвысокочастотный диод 3А112А смесительный, арсенидо-галлиевый планарно-эпитаксиальный с барьером Шоттки. Предназначен для работы в гибридных интегральных схемах, микромодулях, узлах и блоках 3-х сантиметрового диапазона длин волн. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Потери преобразования не более 6 дБ (при темп.25±10 °С), выходное сопротивление от 300 до 550 Ом, выпрямленный ток от 1,0 до 2,5 мА
