Prom – найбільший маркетплейс України

Тр. бип. BC337-40 (npn) 45V 0,5A

Код: 05517
В наличии
20+ купили
1.50 ₴
Карточка Rozetka
+5%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 100 ₴
Продавец Інтернет-магазин "Мега-Радіодеталі"
98%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA633077700000026003111240987
Тр. бип. BC337-40 (npn) 45V 0,5A - фото 1 - id-p924464313

Характеристики и описание

Тр. бип. BC337-40 (npn) 45V 0,5A

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Інтернет-магазин "Мега-Радіодеталі"
Інтернет-магазин "Мега-Радіодеталі"
98% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IRFB4310PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 140 А: Rси(вкл): 7 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFB4310PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 140 А: Rси(вкл): 7 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
183.80 ₴
IPD80R900P7ATMA1 Мощный МОП-транзистор , N-канал, 800 В, 6 А, 0,77 Ом, TO-252 (DPAK), поверхностный монтаж
IPD80R900P7ATMA1 Мощный МОП-транзистор , N-канал, 800 В, 6 А, 0,77 Ом, TO-252 (DPAK), поверхностный монтаж
146.30 ₴
IRFR8314TRPBF Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 127А, 125Вт
IRFR8314TRPBF Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 127А, 125Вт
190 ₴
FGA6560WDF Транзистор: IGBT N-CH 650V 120A 306000mW
FGA6560WDF Транзистор: IGBT N-CH 650V 120A 306000mW
372.50 ₴
STD18N55M5 MOSFET силовой транзистор - TO-252-2, Тип: N, Uси: 550 В, Iс(25°C): 13 А, Rси(вкл): 0.18...0.24 Ом.
STD18N55M5 MOSFET силовой транзистор - TO-252-2, Тип: N, Uси: 550 В, Iс(25°C): 13 А, Rси(вкл): 0.18...0.24 Ом.
188.80 ₴
ST13009 Биполярный транзистор - TO-220-3: Тип: NPN: UКЭ(макс): 400 В: UКЭ(пад): 2.5 В: IК(макс): 12 А
ST13009 Биполярный транзистор - TO-220-3: Тип: NPN: UКЭ(макс): 400 В: UКЭ(пад): 2.5 В: IК(макс): 12 А
146.30 ₴
IRF7471PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 13...16 мОм: @Uзатв(ном):
IRF7471PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 13...16 мОм: @Uзатв(ном):
126.30 ₴
IRL3705NSPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 89 А: Rси(вкл): 10 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRL3705NSPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 89 А: Rси(вкл): 10 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
227.50 ₴
2SC4538
2SC4538
205 ₴
SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce:1200 V, Ic:50 A, 128 pF
SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce:1200 V, Ic:50 A, 128 pF
331.30 ₴
IRLR8113PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 94 А: Rси(вкл): 6...7.4 мОм: @Uзатв(ном):
IRLR8113PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 94 А: Rси(вкл): 6...7.4 мОм: @Uзатв(ном):
122.50 ₴
CRJF190N65GCF N-MOSFET 650V, 181mΩ, 20A
CRJF190N65GCF N-MOSFET 650V, 181mΩ, 20A
123.80 ₴
IKW25N120H3 IGBT транзистор, 25 А, 2.4 В, 326 Вт, 1.2 кВ
IKW25N120H3 IGBT транзистор, 25 А, 2.4 В, 326 Вт, 1.2 кВ
350 ₴
BUZ90 Транзистор полевой MOSFET, N, 75 Вт, 600 В, 4.5 А, 1.6 Ом
BUZ90 Транзистор полевой MOSFET, N, 75 Вт, 600 В, 4.5 А, 1.6 Ом
356.30 ₴