Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

3ОТ110Б

Код: 80
Недоступен
95 ₴
3ОТ110Б - фото 1 - id-p837850482

Характеристики и описание

Наименование: Оптопара транзисторная 3ОТ110Б

Группа: Оптопара 

Категория: Радиоэлементы, микросхемы, транзисторы, тиристоры

Примечание: "AU"

Год изготовления: 90 - 91гг.

Изготовитель: УРЛЗ

 

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

IXFH24N90P Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 24А, 660Вт, TO247-3
IXFH24N90P Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 24А, 660Вт, TO247-3
1 468.75 ₴
Транзистор 2SA1727
Транзистор 2SA1727
999 ₴
1 339 ₴
NCE75TD120WT Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247
NCE75TD120WT Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247
566.25 ₴
STGW75H65DFB2-4 Транзистор: IGBT, 650В, 71А, 357Вт, TO247-4
STGW75H65DFB2-4 Транзистор: IGBT, 650В, 71А, 357Вт, TO247-4
1 338.75 ₴
Транзистор 35N60A, 600V, 35A, TO-3P
Транзистор 35N60A, 600V, 35A, TO-3P
319 ₴
459 ₴
HD1750FX Транзистор биполярный, NPN, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.800 В. Максимальный постоянный ток коллектора 24 A
HD1750FX Транзистор биполярный, NPN, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.800 В. Максимальный постоянный ток коллектора 24 A
832.50 ₴
MSG60T65HFC0 IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C
MSG60T65HFC0 IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C
450 ₴
C2M0040120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 60А, 330Вт, TO247-3, 54нс
C2M0040120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 60А, 330Вт, TO247-3, 54нс
4 040 ₴
IKW40N120CS6XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.85 В, 500 Вт, 1.2 кВ
IKW40N120CS6XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.85 В, 500 Вт, 1.2 кВ
505 ₴
Транзистор биполярный NPN MMBTA05
Транзистор биполярный NPN MMBTA05
33 ₴
MOSFET AON7410 DFN3X3EP, N-канальный транзистор, 30В 24А, силовой чип
MOSFET AON7410 DFN3X3EP, N-канальный транзистор, 30В 24А, силовой чип
99 ₴
149 ₴
IXFH110N10P Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 110А, 480Вт
IXFH110N10P Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 110А, 480Вт
1 015 ₴
Транзистор B1109
Транзистор B1109
30 ₴
53 ₴
IKW50N65WR5XKSA1 БТИЗ транзистор, 80 А, 1.4 В, 282 Вт, 650 В
IKW50N65WR5XKSA1 БТИЗ транзистор, 80 А, 1.4 В, 282 Вт, 650 В
701.25 ₴